三星：计划在2022年初推出3nm芯片

  10月8日消息，外媒报道称，三星电子日前宣布了一个路线图，旨在实现更先进的芯片制造工艺，以及如何在即将到来的3nm光刻工艺中部署一种新的晶体管结构，称为Gate All Outh(GAA)。

  三星代工业务负责人Choi Si-young在一年一度的三星晶圆代工论坛宣布，将于2022年上半年开始采用GAA设计制造3nm芯片。

  鉴于三星迄今为止只提到2022年是生产3nm芯片的起点，将时间表缩小到上半年表明了对新芯片制造工艺进展的信心。

  三星表示，其3nm芯片的良率“接近4nm工艺的水平”，目前正在大规模生产。

  根据三星发布的一份声明，与5nm芯片相比，三星的3nm芯片承诺性能提高30%，功耗降低50%，面积减少35%。

  Choi Si-young在声明中表示:“我们将提高整体生产能力，引领最先进的技术，同时进一步推进硅的规模化，通过应用继续技术创新。在新冠肺炎疫情推动的进一步数字化过程中，我们的客户和合作伙伴将发现硅实施在正确的时间提供正确技术的无限潜力。”